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Microelectronics Reliability在2026 年度 JCR 分区表中的最新影响因子为2.5，当前JCR总分区为Q3，整体排名约为第7767位，适合用于快速判断该刊当前学术影响力与分区位置。

Microelectronics Reliability的五年影响因子为2.2，可与最新IF结合观察其中长期稳定性。

Microelectronics Reliability历年IF从2020年的1.589变化到2025年的2.5，整体呈上升趋势，区间峰值出现在2025年，约为2.5。

Microelectronics Reliability在JCR分类层面的表现如下：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC（Q3，排名 204/369，百分位 44.9）；PHYSICS, APPLIED（Q3，排名 114/191，百分位 40.6）；NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY（Q3，排名 109/148，百分位 26.7）。

中科院分区方面，工程技术大类为3区 [547/1437]，非TOP期刊；小类分区包括PHYSICS, APPLIED 物理：应用为3区 [87/178]；ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气为4区 [186/352]；NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技为4区 [78/139]。

新锐分区方面，工程技术 / Engineering大类为4 区，非TOP期刊；小类分区包括工程：电子与电气 / ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC为4 区；纳米科技 / NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY为4 区；物理：应用 / PHYSICS, APPLIED为4 区。

期刊基础识别信息方面，常用缩写为MICROELECTRON RELIAB，出版商为PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，ISSN 信息为 0026-2714 / 1872-941X。

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